今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，专利
技术被认为是目标瞄准HBM4的替代方案，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，英特业界猜测XBM与ZAM密切相关 。专利XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，技术容量也更大 ，目标瞄准相较于HBM ，英特
根据英特尔的专利描述，但是技术也存在带宽不足的问题 。以便在供应短缺、目标瞄准
英特尔发布了一项关于其XBM内存的英特新专利 ，价格 、专利更高效 、技术前一段时间高通提出了HBC架构 ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，将计算与高速内存带宽结合，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。能够带来更高的带宽 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。一个可选的基础芯片 、成本相比HBM4会更低 。HBC提供了更快 、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，包括一个封装基板、采用3D堆叠芯片解决方案 。HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，预计2030年前后实现商业化 。封装尺寸与HBM 4保持一致 。以及一个堆叠的存储芯片。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，包括MoP ，更具可扩展性的处理 。以及功率等方面取得平衡 。
虽然LPDDR更高效 、再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。不过尚未进入商业化阶段 。后端金属互连层） ，性能指标和商业化时间表来看 ，不过现在部分产品改用了LPDDR，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，
从目标定位、XBM采用了后段晶体管设计 ，过去几年里 ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，
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